什么是离子束延迟涂层工艺？

什么是离子束延迟涂层工艺？离子束延迟涂层工艺是使用离子束蚀刻技术从衬底上一次一层地去除材料。延迟工艺的主要目的是以暴露缺陷位置的方式去除材料，可以将缺陷位置埋在涂层下。

随着半导体器件节点越来越小，缺陷识别仍然是涂层工艺改进和良率提高的关键组成部分。传统的延迟方法面临着小特征尺寸、大面积缺陷隔离、感兴趣区域的表面损坏以及高人力资源开销的挑战。由于组成材料的物理性质不同，其蚀刻速率不同，因此传统延迟涂层技术无法均匀制备涂层。

离子束延迟涂层技术克服了这些挑战并提供了统一延迟技术以暴露大面积区域 (AOI)，同时保持无损伤层去除。它采用各种技术来控制精确去除微米级和纳米级表面材料，同时产生平坦的平面。这种延迟技术有助于通过 AOI 和精确的层识别进行电气故障识别和电气故障分析。

为什么离子束延迟涂层工艺很重要？

随着微电子市场转向推动具有更高器件密度的更强大的半导体，当代设计正在缩小层厚并压缩层内的结构。在当代芯片上使用传统的延迟技术，则存在昂贵、易出错并且实用性有限等缺陷。而离子束延迟涂层除了可以更加精确镀膜之外，其延迟过程也很好控制，还允许大面积制备薄膜。