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等离子体辅助ITO薄膜低温生长

用基片加温和最后高温处理的方式 使ITO薄膜结晶和更改其架构来减少电阻的方式 ,现已被普遍使用于在安全玻璃等基体上制作ITO薄膜.但是伴随着不耐热的柔性基体的普遍应用,ITO薄膜低温环境生长现已变成一个主要的研究内容.因此,本研究探讨室内温度等离子体协助情况下,ITO薄膜沉积生长全过程,以期为以上问题的解決给予理论来源.研究得出结论:等离子协助可以有效的控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒大小和晶界构造,在提升情况下,在PET基体上制作出电阻为1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.