什么是镀膜前的离子束刻蚀技术

离子束蚀刻技术 (IBE) 是一种薄膜技术，它是一种利用离子源在基板上进行材料去除的工艺。IBE 是一种离子束溅射，无论是用于镀膜前的预清洁还是图案蚀刻，它都能够确保所镀制膜层拥有出色的附着力和其3D结构的精确形成。

离子束蚀刻的好处

离子束蚀刻提供：

• 出色的过程控制：IBE 为在基板上蚀刻图案提供严格的过程控制。对于需要精确去除材料规格的应用，IBE 可以使用掩模创建高度均匀的特定图案。
• 多层堆叠的精度：IBE 是一种高度可重复的解决方案，用于蚀刻多种材料或层的堆叠。通过集成 SIMS（二次离子质谱）作为原位控制的配置，离子束蚀刻允许您去除一种材料的层并立即停止在下一层。
• 彻底的基板准备：离子束蚀刻采用高能离子进行高冲击等离子体处理。它是可用的最彻底的预清洁方法之一，能够在溅射前从基板上去除每个颗粒甚至整个层。例如，这在去除自然氧化层时很有用，但必须注意不要损坏下面的器件。
• 正常运行时间长：当使用倾斜或基板旋转时，它可以创建定制侧壁轮廓的工艺，在覆盖掩模上的溅射再沉积最少，从而最大限度地减少维护要求。

离子束蚀刻配置

在离子束蚀刻系统中，宽束准直和高度定向的离子源用于从安装在具有可调倾斜角的旋转夹具上的基板上物理研磨材料。通常，使用网格离子源并用独立的电子源中和。

还有两种其他类型的镀膜前的离子束蚀刻：反应离子束蚀刻 (RIBE) 和化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)。

RIBE 与 IBE 相同，只是部分或全部离子束由反应离子组成；在标准 IBE 中，离子束仅由惰性气体组成。在 CAIBE 中，未电离的活性物质被引入到工艺中，独立于离子束，靠近基板。对于某些材料，RIBE 和 CAIBE 提供对 IBE 蚀刻各向异性、溅射再沉积和蚀刻速率的额外控制。